La mémoire DRAM portée par l’IA entre profits records et tensions d’offre

La mémoire DRAM et la mémoire flash NAND restent sous tension, tirées par les serveurs d’IA et les achats des grands centres de données. SK hynix a annoncé mercredi un bénéfice opérationnel trimestriel record, tandis que Samsung Electronics a aussi dépassé les attentes, avec un message commun : la demande liée à l’IA continue d’aller plus vite que l’offre. Dans ce contexte, les fabricants sud-coréens accélèrent leurs investissements, mais les marchés ont surtout retenu un autre signal : la facture monte vite, et la production ne suivra pas avant 2027 au mieux.

Quand la pénurie devient une stratégie industrielle

Chez SK hynix, le deuxième trimestre s’est soldé par 79,32 trillions de won de revenus et 60,54 trillions de won de bénéfice opérationnel, un record avec une marge opérationnelle de 76% selon l’entreprise. Samsung a, de son côté, affiché 171,5 trillions de won de chiffre d’affaires et 89,5 trillions de won de bénéfice opérationnel sur le même trimestre, au-dessus des attentes du marché. Les deux groupes décrivent le même moteur : la demande d’IA pour les mémoires hautes performances, en particulier la HBM, cette mémoire à large bande passante pensée pour nourrir les processeurs d’IA.

SK hynix a aussi relevé sa guidance de dépenses d’investissement 2026 vers une fourchette haute de 40 trillions de won, pour financer les lignes de production au M15X à Cheongju, le site de Yongin Phase 1 et des capacités de packaging avancé. Le groupe dit que ces nouvelles capacités ne produiront pas avant 2027. Samsung, lui, a indiqué avoir accru ses ventes de HBM4 et expédié les premiers échantillons HBM4E à de grands clients, ce qui montre que la course ne se joue plus seulement sur le volume, mais sur la génération suivante de puces.

Des prix qui montent, des investisseurs qui grincent

La pression sur l’offre se voit aussi dans les prix. SK hynix a indiqué que les prix moyens de la DRAM avaient augmenté d’environ 30% au deuxième trimestre, tandis que ceux de la NAND progressaient dans la fourchette des milieux de 50%. Pour le troisième trimestre, le groupe vise une hausse d’environ 10% des expéditions de bits DRAM par rapport au trimestre précédent. TrendForce, de son côté, anticipe encore des prix contractuels en hausse de 13% à 18% pour la DRAM conventionnelle et de 10% à 15% pour la NAND au troisième trimestre.

Ce décor favorable n’a pourtant pas suffi à calmer les marchés. SK hynix a terminé la séance de mercredi en baisse d’environ 10% à Séoul, après un mouvement de ventes sur les actions liées aux semi-conducteurs. Samsung a reculé de 5% dans le même élan, alors que le KOSPI a brièvement plongé à 5 262 points et perdu plus de 10% sur la séance de mardi selon les données citées par les sources. La Bourse adore les histoires de croissance. Elle déteste un peu moins quand la croissance est déjà dans les cours.

Les marges tiennent, mais le calendrier reste serré

Le cœur du sujet est là : l’industrie veut produire plus, mais pas tout de suite. SK hynix a déclaré que la demande mondiale de DRAM progresse à un rythme de milieu de 20% sur l’année, quand ses expéditions ne sont guidées qu’à environ 10% de hausse au trimestre suivant. Son patron, Kwak Noh-jung, a même parlé du point bas de la pénurie en 2027 et d’un retour à l’équilibre “beyond 2030” lors de la cotation Nasdaq de l’entreprise, selon la source citée.

Samsung raconte la même histoire avec un vocabulaire plus large : la demande reste forte sur les serveurs, les eSSD et la mémoire pour l’infrastructure d’IA, dans un contexte où l’adoption d’agentic AI soutient encore les dépenses. Reste une limite très concrète : les investissements annoncés aujourd’hui n’alimenteront les wafers qu’à partir de 2027, au mieux. D’ici là, les prix, les marges et les arbitrages entre volumes et produits haut de gamme continueront de faire la loi.